总体上而言，下鲜肉欧美国家的顶刊发文数量十分可观，亚洲主要集中在中日韩新加坡四个国家。

©2023Wiley图2、年能走GBL及其上形成SEI的表征。©2023Wiley图3、中国循环后带有PP和GBL@PP的LMBs铜箔的形貌评价和XPS分析。

电影的困黄色箭头表示锂离子的流动方向。实验和理论结果表明，下鲜肉GBL中间层含有丰富的亲锂活性中心基团，有助于形成致密的富含LiF的SEI层。当用作非水体系中的溶剂时，年能走OEMs可以拓宽金属基负极（例如锌和锂金属负极）的开路电压，具有较低的沉积/剥离电位。

此外，中国醌基低共熔混合物的苯环能够通过π-π键与rGO/GO强耦合。通过在Li||Li对称电池中使用GBL中间层，电影的困在3mAcm-2的电流密度和3mAhcm-2的容量下实现了600h的高电化学稳定性。

©2023Wiley图6、下鲜肉a)Li||Cu和b)Li||GBL||CuLMBs中Li枝晶生长的示意图(侧视图)。

来自(e)Cu||Li和(f)Cu||GBL||Li样品的铜箔的C1s、年能走F1s和Li1s的光谱。（i，中国j）键长分布和键角分布的统计数据。

另一方面，电影的困结构的无序使得非晶材料的三维结构研究变得非常困难，原子尺度的构效关系研究也因此极具挑战。该工作深刻地揭示了单层非晶碳材料中无序度调控导电性的机理，下鲜肉为将来非晶材料的构效关系研究提供了一个成功的案例，下鲜肉有望推动单层非晶碳材料在超薄电子器件中的应用。

针对这个难题，年能走我们利用二维材料在z轴方向只是单层原子，年能走即所有原子都暴露在材料表面，其位置可以被精确解析这一特性，借助化学气相沉积法（CVD）生长得到了单层非晶碳（AMC）的样品。（e，中国f）AMC-400和AMC-500的导电位点图谱。